- تاریخ انتشار : ۱۳۹۵
- ناشر : 3.دومین کنفرانس بین المللی پژوهش در علوم .مهندسی و تکنولوژی
- زبان مقاله : همه
- تعداد صفحات : 12
- حجم فایل : 0 کیلوبایت
- نوع مقاله : مجموعه مقالات کنفرانس
- مجموعه : مهندسی و فناوری
چکیده مقاله
در اين مقاله روشهاي کاهش جريان نشتي گيت با استفاده از عايق و مواد دي الکتريکک بوکورم متقکارن بشککس اسکتک و پشته و همچنين بوورم سطح بندي شده و غير متقارن مقايسه و شبيه سازي شده است ، استفاده از عايق ترکيبکي بوکورم سطح بندي و نامتقارن منجر به کاهش جريان نشتي گيت و بهبود زمان تأخير گرديده اسکت . ککاهش تکوان نشکتي و جريکان نشتي گيت و جريان نشتي زير آستانه در قالب نمودارهاي HSPICE رسم شده و لايه هاي دي الکتريک با گکرر دهکي بکالا در ساختار ترانزيستورهاي NMOS تشريح شده است ، مؤلفه هاي جريان نشتي گيت در قالب نمودار ساختاري نشان داده شده و در نهايت نتيجه گيري شده که در ساختار ترانزيستورهاي نانو جريان نشتي گيت مؤلفه غالب بوده که بکا اسکتفاده از رود دي الکتريک پشته اي بوورم غير متقارن بين گيت و بدنه جريان نشتي مرکور بطور قابس توجهي کاهش داده مي شود.
نحوه استناد به مقاله
در صورتی که می خواهید به این مقاله در اثر پژوهشی خود ارجاع دهید، می توانید از متن زیر در بخش منابع و مراجع بهره بگیرید :
1.خداداد خالق پناه؛2.دکتر شاپور گل بهار حقيقي؛ ۱۳۹۴، بررسي و شبيه سازي کاهش جريان نشتي گيت با کمک عايق نا متقارن ترکيبي با استفاده از دي الکتريک هاي AL2O3 و دي اکسيد سيليکان در ترانزيستورهاي NMOS کانال کوتا، 3.دومین کنفرانس بین المللی پژوهش در علوم .مهندسی و تکنولوژی، https://scholar.conference.ac:443/index.php/download/file/1920-Analysis-and-simulation-of-the-gate-leakage-current
در داخل متن نیز هر جا به عبارت و یا دستاوردی از این مقاله اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پرانتز، مشخصات زیر نوشته شود.
(1.خداداد خالق پناه؛2.دکتر شاپور گل بهار حقيقي؛ ۱۳۹۴)
