- تاریخ انتشار : ۱۳۹۴
- ناشر : دومین کنفرانس بین المللی پژوهش در علوم و تکنولوژی
- زبان مقاله : همه
- تعداد صفحات : 7
- حجم فایل : 433.174 کیلوبایت
- نوع مقاله : مجموعه مقالات کنفرانس
- مجموعه : علوم پایه
چکیده مقاله
The DC-HEMT exhibits high gain and high current and low noise. The noise characteristics are calculated as a function of gate voltage as well as drain voltage. The noise curve versus gate voltage also shows three regions. And also the noise curve versus drain voltage shows two regions. The first region is related to the triode region of the transistor where the noise decreases with increase of the drain voltage. The second region is related to the saturation region of the transistor where the noise is almost constant.
نحوه استناد به مقاله
در صورتی که می خواهید به این مقاله در اثر پژوهشی خود ارجاع دهید، می توانید از متن زیر در بخش منابع و مراجع بهره بگیرید :
Sonia Sadeghi؛Rahim Faez؛ ۱۳۹۳، Compare noise characteristic of DC-HEMT and HEMT، دومین کنفرانس بین المللی پژوهش در علوم و تکنولوژی، https://scholar.conference.ac:443/index.php/download/file/1326-Compare-noise-characteristic-of-DC-HEMT-and-HEMT
در داخل متن نیز هر جا به عبارت و یا دستاوردی از این مقاله اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پرانتز، مشخصات زیر نوشته شود.
(Sonia Sadeghi؛Rahim Faez؛ ۱۳۹۳)