- تاریخ انتشار : ۱۳۹۴
- ناشر : کنفرانس بین المللی پژوهش در علوم - تکنولوژی
- زبان مقاله : همه
- تعداد صفحات : 10
- حجم فایل : 0 کیلوبایت
- نوع مقاله : مجموعه مقالات کنفرانس
- مجموعه : مهندسی برق
چکیده مقاله
در این مقاله یک تقویت کننده امپدانس انتقالی ) TIA (، که در طبقه اول گیرنده های مخابرات نوری
مورد استفاده قرار می گیرد، بعنوان مدار مرجع انتخاب شده است. تقویت کننده امپدانس انتقالی انتخابی
به گونه ای طراحی شده است که دارای بهره و پهنای باند بالا و همچنین دارای توان مصرفی کمی
می باشد و با تکنولوژی CMOS 90nm طراحی و در محیط نرم افزار HSPICE شبیه سازی شده
است. با توجه به اینکه در مدار انتخابی می خواهیم از ترانزیستورهای اثر میدانی نانو لوله کربنی
23 نانومتری ) CNTFET 32nm ( استفاده کنیم. برای مقایسه آن، ابتدا مدار را با فناوری CMOS 90nm شبیه سازی کرده، سپس مدار انتخابی را با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدانی نانو لوله کربنی
مدل Stanford با طول کانال 23 نانومتر جایگزین نموده و در نرم افزار HSPICE شبیه سازی و
برخی پارامترهای این دو مدار را بررسی و با یکدیگر مقایسه می کنیم. در این مقاله، تعداد لوله ها در
ترانزیستورهای اثر میدانی نانو لوله کربنی ) CNTFET 5 تایی و 11 تایی در نظر گرفته شده است. ،)
نتایج حاصل از شبیه سازی، بهبود چشمگیر پارامترهای مورد ارزیابی از قبیل بهره، پهنای باند، امپدانس
ورودی، نویز و توان مصرفی در تقویت کننده امپدانس انتقالی مبتنی بر ترانزیستورهای اثر میدانی نانو
لوله کربنی نسبت به تکنولوژی CMOS را نشان می دهد
نحوه استناد به مقاله
در صورتی که می خواهید به این مقاله در اثر پژوهشی خود ارجاع دهید، می توانید از متن زیر در بخش منابع و مراجع بهره بگیرید :
؛؛؛ ۱۳۹۳، بهبود عملکرد تقویت کننده امپدانس انتقالی با استفاده از ترانزیستورهای اثر میدانی، کنفرانس بین المللی پژوهش در علوم - تکنولوژی، https://scholar.conference.ac:443/index.php/download/file/3505-performance-improvment-Transfer-impedance-amplifier-field-effect-transistors-using-carbon-nanotubes-for-use-in-optical-communication-receivers
در داخل متن نیز هر جا به عبارت و یا دستاوردی از این مقاله اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پرانتز، مشخصات زیر نوشته شود.
(؛؛؛ ۱۳۹۳)
