- تاریخ انتشار : ۱۳۹۶
- ناشر : دومین کنفرانس بین المللی رویکردهای نوین در علوم ، تکنولوژِی و مهندسی
- زبان مقاله : همه
- تعداد صفحات : 10
- حجم فایل : 760.081 کیلوبایت
- نوع مقاله : مجموعه مقالات کنفرانس
- مجموعه : مهندسی و فناوری
چکیده مقاله
در این مقاله یک تقویتکننده کمنویز در فرکانس 12GHz طراحی و شبیهسازی شده است. در طرح پیشنهادی از مدل سیگنالکوچک ترانزیستور گالیم-آرسناید-مسفت به صورت دو طبقه پشت سر هم برای بهبود بهره و کاهش عدد نویز استفاده شده که طراحی و شبیه سازی با نرم افزار ADS انجام شده است. پس از تعریف تقویتکننده کمنویز، تطبیق امپدانس به بار Ω50 با استفاده از نمودار اسمیت چارت بررسی و طراحی شده و شرایط پایداری مورد بررسی قرار میگیرد. در نهایت بعد از بهینهسازی و تطبیق امپدانس، مقادیر بهره و بهره معکوس به ترتیب 18.8dB و -45.11dB، ضرایب انعکاس در ورودی و خروجی(S11 و S22 ) به ترتیب -40.25dB و -37.7dB با عدد نویز 0.95dB بدست آمده است. همچنین نسبت ضریب موج ساکن که یکی از پارامتر های مهم در طراحی تقویتکننده به حساب میآید، برابر 1.02 میباشد.
نحوه استناد به مقاله
در صورتی که می خواهید به این مقاله در اثر پژوهشی خود ارجاع دهید، می توانید از متن زیر در بخش منابع و مراجع بهره بگیرید :
مجتبی صادقی؛زهرا عادل¬پور؛سینا عزیزی فر؛ ۱۳۹۵، طراحی و شبیه¬سازی تقویت¬کننده کم¬نویز در باند Kuبا استفاده از ترانزیستور GaAs-MESFET، دومین کنفرانس بین المللی رویکردهای نوین در علوم ، تکنولوژِی و مهندسی، https://scholar.conference.ac:443/index.php/download/file/12414-Design-and-simulation-of-low-noise-amplifier-in-Ku-band-using-GaAs-MESFET-transistor
در داخل متن نیز هر جا به عبارت و یا دستاوردی از این مقاله اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پرانتز، مشخصات زیر نوشته شود.
(مجتبی صادقی؛زهرا عادل¬پور؛سینا عزیزی فر؛ ۱۳۹۵)
