- تاریخ انتشار : ۱۳۹۶
- ناشر : کنفرانس بین المللی نو آوری در علوم و تکنولوژی
- زبان مقاله : همه
- تعداد صفحات : 12
- حجم فایل : 1181.83 کیلوبایت
- نوع مقاله : مجموعه مقالات کنفرانس
- مجموعه : مهندسی برق
چکیده مقاله
این مقاله یک تحلیل، طراحی و شبیهسازی را برای یک تقویتکننده کمنویز (LNA) در باند فرکانسی K (18-26.5 Ghz) و با توان کم ارائه کرده که از یک تکنیک تقویت بهره با فنّاوری TSMC 0.18μm استفاده میکند. تقویتکننده کمنویز فراپهنباند (UWB LNA) پیشنهادی ،در باند K از دو ساختار gain-boosting با دو طبقه کسکود برای افزایش بهره و همچنین سلف سری در خروجی جهت افزایش پهنای باند استفاده می کند. همچنین با استفاده از انتخاب ساختار مناسب طبقه اول مدار، نویز غالب مدار که بهوسیله این طبقه ایجاد میشد حذف گردید. نتایج حاصل از شبیهسازی بیانگر بهره مناسب ) 13dB S21> ( و با یک تطبیق امپدانس ورودی مناسب و کمتر از 10dB - درتمام پهنای باندو نیز عدد نویز 3.8-5.4 dB روی کل پهنای باند است. تقویتکننده کمنویز پیشنهادی، دارای توان مصرفی 91 میلی وات از منبع تغذیه 9.1 ولتی است.
نحوه استناد به مقاله
در صورتی که می خواهید به این مقاله در اثر پژوهشی خود ارجاع دهید، می توانید از متن زیر در بخش منابع و مراجع بهره بگیرید :
1.محمد سلامت؛2.هومان کعبی؛ ۱۳۹۵، تقویت کننده کم نویز CMOS فراپهن باند در باند فرکانسی K، کنفرانس بین المللی نو آوری در علوم و تکنولوژی، https://scholar.conference.ac:443/index.php/download/file/9362-UWB-CMOS-LNA-in-K-Band-Frequency
در داخل متن نیز هر جا به عبارت و یا دستاوردی از این مقاله اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پرانتز، مشخصات زیر نوشته شود.
(1.محمد سلامت؛2.هومان کعبی؛ ۱۳۹۵)
