- تاریخ انتشار : ۱۳۹۶
- ناشر : کنفرانس بین المللی نوآوری در مهندسی،علوم و توسعه تکنولوژی
- زبان مقاله : همه
- تعداد صفحات : 6
- حجم فایل : 321.029 کیلوبایت
- نوع مقاله : مجموعه مقالات کنفرانس
- مجموعه : مهندسی و فناوری
چکیده مقاله
با پيشرفت تكنولوژيهاي زير ميكرومتر، صـنعت الكترونيـك در جهت كـاهش ابعـاد ترانزيـستورها و بكـاربردن ادوات سـيليكوني در مقياس بزرگ مجتمعسازي پيش ميرود. اين مقاله طرح جديدي براي ساختار ترانزيستورهاي SOI-MOSFET به عنوان راه کاري مناسب براي کاهش اثرات مخرب پديده خودگرمايي ارائه مي دهد. ايده اصلي در ارائه اين ساختار نوين، استفاده از ماده Si3N4 مي باشد که داراي هدايت گرمايي بيشتري نسبت به اکسيد سيليسيم است. نتايج به دست آمده نشان مي دهند که ساختار SOI-MOSFET چند لايه اي مي تواند نقش به سزايي در انتقال گرما به لايه هاي زيرين لايه مدفون داشته و از افزايش گرما در کانال جلوگيري نمايد
نحوه استناد به مقاله
در صورتی که می خواهید به این مقاله در اثر پژوهشی خود ارجاع دهید، می توانید از متن زیر در بخش منابع و مراجع بهره بگیرید :
فرشته رضائی ارپاتپه؛فرزان دست بوس ؛میر میکاییل فاطمی ؛جواد رضائی ارپاتپه ؛ ۱۳۹۵، بهبود مقاومت بدنه برای کاهش اثر خودگرمایی در ترانزيستورهاي SOI MOSFET، کنفرانس بین المللی نوآوری در مهندسی،علوم و توسعه تکنولوژی، https://scholar.conference.ac:443/index.php/download/file/11832-Improve-body-resistance-to-reduce-the-self-heating-effect-in-SOI-MOSFET-transistors
در داخل متن نیز هر جا به عبارت و یا دستاوردی از این مقاله اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پرانتز، مشخصات زیر نوشته شود.
(فرشته رضائی ارپاتپه؛فرزان دست بوس ؛میر میکاییل فاطمی ؛جواد رضائی ارپاتپه ؛ ۱۳۹۵)
