SCEs Investigation of Tri-Gate SOI FinFET in Different Channel Lengthes
  • تاریخ انتشار : ۱۳۹۴
  • ناشر : کنفرانس بین المللی پژوهش در علوم و تکنولوژی
  • زبان مقاله : همه
  • تعداد صفحات : 7
  • حجم فایل : 0 کیلوبایت
  • نوع مقاله : مقالات آموزشی
  • مجموعه : بدون مجموعه

اطلاعات نویسنده ها

  • B.Fakhr1 - Department of Electrical Engineering, Neyshabur Branch, Islamic Azad Universit, Neyshabur, Iran
  • S.E.Hosseini2 - Department of Electrical Engineering, Ferdowsi University of Mashhad,Mashhad, Iran

چکیده مقاله

compact scaling length for Tri-gate SOI FinFET is presented based on a 3-D simulation. SCEs of FinFETs can be controlled by changing the gate length. Changing channel length is between 10 to 100 nm. output characteristics, transfer characteristic, threshold voltage, subthreshold slope and drain induced barrier lowering (DIBL), gm, ION/IOFF ratio, ro are investigated.

کلید واژه ها

FinFET, SOI, SCEs, Vth, ION/IOFF ratio, gm, DIBL, subthreashold slop

نحوه استناد به مقاله

در صورتی که می خواهید به این مقاله در اثر پژوهشی خود ارجاع دهید، می توانید از متن زیر در بخش منابع و مراجع بهره بگیرید :

B.Fakhr1 ؛S.E.Hosseini2 ؛ ۱۳۹۳، SCEs Investigation of Tri-Gate SOI FinFET in Different Channel Lengthes، کنفرانس بین المللی پژوهش در علوم و تکنولوژی، https://scholar.conference.ac:443/index.php/download/file/3849-SCEs-Investigation-of-Tri-Gate-SOI-FinFET-in-Different-Channel-Lengthes

در داخل متن نیز هر جا به عبارت و یا دستاوردی از این مقاله اشاره شود پس از ذکر مطلب، در داخل پرانتز، مشخصات زیر نوشته شود.

(B.Fakhr1 ؛S.E.Hosseini2 ؛ ۱۳۹۳)

دریافت لینک دانلود مقاله

پژوهشگر عزیز، برای دانلود مقاله تنها کافی است فرم زیر را تکمیل نموده و بر روی دکمه دریافت لینک دانلود مقاله کلیک نمایید. در صورت عدم دریافت لینک دانلود مقاله در ایمیل خود (و پوشه spam) پس از 10 دقیقه، درخواست خود را مجدد ارسال نمایید.

نام و نام خانوادگی
شماره موبایل
ایمیل